सिलिकॉन समाई
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एसएसएलसी471एम2बी79ए
दायरा • विनिर्देश सिंगल लेयर कैपेसिटर पर लागू होता है।• प्रकार: SSLC471M2B79A संरचना • इलेक्ट्रोड टॉपसाइड (एनोड): AL =3um ±3000A बैकसाइड (कैथोड): Ti /Au =5000A ~ 6000A • डाइइलेक्ट्रिक कॉन्स्टेंट (SiNx): 7.5 आकार • चिप आकार (डाइसिंग से पहले): 0.820 ± 0.02mm * 0.820 ± 0.02 मिमी • चिप आकार (डाइसिंग के बाद): 0.790 ± 0.03 मिमी * 0.790 ± 0.03 मिमी • मोटाई: 0.210 ± 0.015 मिमी • पैटर्न ड्राइंग: प्रति चित्र 1 विद्युत विशेषताएँ -
एसएसएलसी122एम2ए79ए
दायरा • विनिर्देश सिंगल लेयर कैपेसिटर पर लागू होता है।• प्रकार: SSLC122M2A79A संरचना • इलेक्ट्रोड टॉपसाइड (एनोड): AL =3um ±3000A बैकसाइड (कैथोड): Ti /Au =5000A ~ 6000A • डाइइलेक्ट्रिक कॉन्स्टेंट (SiNx): 7.5 आकार • चिप आकार (डाइसिंग से पहले): 0.820 ± 0.02mm * 0.820 ± 0.02 मिमी • चिप आकार (डाइसिंग के बाद): 0.790 ± 0.03 मिमी * 0.790 ± 0.03 मिमी • मोटाई: 0.210 ± 0.015 मिमी • पैटर्न ड्राइंग: प्रति चित्र 1 विद्युत विशेषताएँ -
एसएसएलसी103एम1ए79ए
दायरा • विनिर्देश सिंगल लेयर कैपेसिटर पर लागू होता है।• प्रकार: SSLC103M1A79A संरचना • इलेक्ट्रोड टॉपसाइड (एनोड): AL =3um ±3000A बैकसाइड (कैथोड): Ti /Au =5000A ~ 6000A • डाइइलेक्ट्रिक कॉन्स्टेंट (SiNx): 7.5 आकार • चिप आकार (डाइसिंग से पहले): 0.820 ± 0.02mm * 0.820 ± 0.02 मिमी • चिप आकार (डाइसिंग के बाद): 0.790 ± 0.03 मिमी * 0.790 ± 0.03 मिमी • मोटाई: 0.210 ± 0.015 मिमी • पैटर्न ड्राइंग: प्रति चित्र 1 विद्युत विशेषताएँ -
एसएसएलसी102एम1सी80ए
दायरा • विनिर्देश सिंगल लेयर कैपेसिटर पर लागू होता है।• प्रकार: SSLC102M1C80A संरचना • इलेक्ट्रोड टॉपसाइड (एनोड): AL =3um ±3000A बैकसाइड (कैथोड): Ti /Au =5000A ~ 6000A • डाइइलेक्ट्रिक कॉन्स्टेंट (SiNx): 7.5 आकार • चिप आकार (डाइसिंग से पहले): 0.830 ± 0.02mm * 0.830 ± 0.02 मिमी • चिप आकार (डाइसिंग के बाद): 0.800 ± 0.03 मिमी * 0.800 ± 0.03 मिमी • मोटाई: 0.210 ± 0.015 मिमी • पैटर्न ड्राइंग: प्रति चित्र 1 विद्युत विशेषताएँ
